mos管过驱动电压（mosfet驱动电压）

本文目录一览：

• 1、请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs...
• 2、mos管漏极电流怎么计算?
• 3、开关电源的m0s管用多少电压驱动
• 4、MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
• 5、MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?

请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs...

Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

在电子器件中，MOS管的Vdsat和Vov是两个关键参数，分别代表了不同的工作状态。Vdsat，即饱和漏源电压，当MOS管进入刚性状态或即将关闭时，漏源电压达到这个值。

为了确保晶体管安全地工作在饱和区，维持Vds与Vdsat之间的合适差距至关重要。这一间隙能够防止工艺偏差导致晶体管进入线性区，并在饱和区附近实现较小的源漏电阻rds与较低的晶体管本征增益，优化电路性能。根据普遍情况，推荐Vds与Vdsat之间的差值至少为100mV，最佳值接近200mV。

mos管漏极电流怎么计算?

1、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=（1/2）UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

2、ID = 0.5 * μn * Cox * [（W / L） * （VGS - Vth）^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。

3、A1SHB（PL2301）PMOS管。 晶体管类型 ： P沟道MOSFET 最大功耗PD ： 25W 漏源电压VDS ：－20V（极限值） 漏极电流ID：TA=25°时：-2A，TA=70°时：-4A 栅极漏电流IGSS：±100nA。A2SHB（PL2302）NMOS管。

4、了解米勒平台的电压估算方法，有助于深入分析导通过程中的电压电流变化。MOS管开关电路中，t0~t1时间段内，Vgs小于阈值电压时，MOS管处于截止区，漏极电流Id=0，漏源极电压差Vds等于输入电压Vin。在t1~t2时间段内，随着Vgs增加至米勒平台电压Vp，电流Id逐渐增大，MOS管进入恒流区。

5、- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。这个关系表明，当电流增大时，输出电阻Rds会减小，反之亦然。输出电阻Rds可看作是一个动态的参数，随着电流的变化而变化。

开关电源的m0s管用多少电压驱动

1、开关特性是场效应管的核心功能之一。在设计中，MOS管的使用尤为普遍。NMOS管在栅极电压Vgs大于某一特定值时就会导通，此时，源极接地的情况最为常见，即所谓的低端驱动。通常，栅极电压只需达到4V或10V，NMOS管就能实现导通。另一方面，PMOS管则在源极接VCC时表现出导通特性，此时，其开关特性同样显著。

2、保护G极的稳压管一般是15——18V，如果确定驱动电压不会超过MOS管G极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

3、这个没有定数，RG一般在10-100欧之间，RT在7K---10K之间，和输出功率以及MOS有关。因为每种型号的MOS的结电容都不一样，虽然MOS是电压驱动元件，但是还是需要电流的，所以高结电容容量的MOS需要的驱动电流也大，反过来就小电流一些。

4、MOS功率管的开关是由G极电压的有无决定的，TL3843产生的方波中高电平占整个周期的时间叫占空比，占空比控制MOS功率管的导通与截止，从而决定输出电压的高低。

5、例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A，一般单电压电源选择2A/10W比较安全；漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。这几个条件满足了，基本没问题。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

低阀值的适合低电压PWM驱动，比如5V左右的。

MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义?

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

对于短沟道器件，由于场强较大，速度饱和效应可能在沟道夹断之前就导致电流饱和。速度饱和效应是载流子迁移率随电场强度上升而下降，导致载流子平均速度存在极限，无法无限增加。当电场强度达到临界饱和场强Ec时，电流不再随Vds增加，mos管进入饱和区。